本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體單晶拋光片亞表面損傷的測(cè)試方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于GaAs、InP(GaP、GaSb可參照進(jìn)行)等化合物半導(dǎo)體單晶拋光片亞表面損傷的測(cè)量。