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硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法

標 準 號: GB/T 14144-2009
替代情況: 替代 GB/T 14144-1993
發(fā)布單位: 中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
起草單位: 峨嵋半導體材料廠
發(fā)布日期: 2009-10-30
實施日期: 2010-06-01
點 擊 數(shù):
更新日期: 2020年02月01日
內容摘要

本標準適用于室溫電阻率大于0.1Ω·cm 的n型硅單晶和室溫電阻率大于0.5Ω·cm 的p型硅單晶中間隙氧含量的測量。
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