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低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中III、V族雜質(zhì)含量的測試方法

標(biāo) 準 號： GB/T 24581-2009
替代情況：
發(fā)布單位： 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標(biāo)準化管理委員會
起草單位： 四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司
發(fā)布日期： 2009-10-30
實施日期： 2010-06-01
點 擊 數(shù)：
更新日期： 2020年02月01日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準適用于檢測硅單晶中的電活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、鋁(Al)、銻(Sb)和鎵(Ga)的含量。
本標(biāo)準所適用的硅中每一種電活性元素雜質(zhì)或摻雜劑濃度范圍為(0.01×10-9~5.0×10-9)a。
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