本方法規(guī)定了用橢圓偏振測試方法測量生長或沉積在硅襯底上的絕緣體薄膜厚度及折射率的方法。
本方法適用于薄膜對測試波長沒有吸收和襯底對測試波長處不透光、且已知測試波長處襯底折射率和消光系數(shù)的絕緣體薄膜厚度及折射率的測量。對于非絕緣體薄膜，滿足一定條件時(shí),方可采用本方法。