硅片和硅錠載流子復(fù)合壽命的測(cè)試非接觸微波反射光電導(dǎo)衰減法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào)： GB/T 26068-2018

替代情況：

發(fā)布單位：國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

起草單位：有研半導(dǎo)體材料有限公司、瑟米萊伯貿(mào)易(上海)有限公司、中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院、浙江省硅材料質(zhì)量檢驗(yàn)中心等

發(fā)布日期： 2018-12-28

實(shí)施日期： 2019-11-01

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更新日期： 2019年04月01日

內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了單晶和鑄造多晶的硅片及硅錠的載流子復(fù)合壽命的非接觸微波反射光電導(dǎo)衰減測(cè)試方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅錠和經(jīng)過拋光處理的N型或P型硅片（當(dāng)硅片厚度大于1mm時(shí)，通常稱為硅塊）載流子復(fù)合壽命的測(cè)試。在電導(dǎo)率檢測(cè)系統(tǒng)靈敏度足夠的條件下，本標(biāo)準(zhǔn)也可用于測(cè)試切割或經(jīng)過研磨、腐蝕的硅片的載流子復(fù)合壽命。通常，被測(cè)樣品的室溫電阻率下限在0.05Ω·cm～10Ω·cm之間，由檢測(cè)系統(tǒng)靈敏度的極限確定。載流子復(fù)合壽命的測(cè)試范圍為大于0.1.s，可測(cè)的最短壽命值取決于光源的關(guān)斷特性及衰減信號(hào)測(cè)定器的采樣頻率，最長(zhǎng)可測(cè)值取決于樣品的幾何條件及其表面的鈍化程度。