本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用紅外光譜法測(cè)定硅單晶晶體中間隙氧含量的方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于室溫電阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅單晶和室溫電阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅單晶中間隙氧含量的測(cè)定。以常溫紅外設(shè)備測(cè)試時(shí)，氧含量（原子數(shù)）測(cè)試范圍從1×1016 cm-3到硅中間隙氧的最大固溶度；以低溫紅外設(shè)備測(cè)試時(shí)，氧含量（原子數(shù)）的測(cè)試范圍從0.5×1015 cm-3到硅中間隙氧的最大固溶度。