本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了低位錯(cuò)密度鍺單晶片的腐蝕坑密度(EPD)的測量方法。?
本標(biāo)準(zhǔn)適用于測試位錯(cuò)密度小于1 000個(gè)/cm??2?、直徑為75 mm~150 mm的圓形鍺單晶片的位錯(cuò)腐蝕坑密度。