本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了利用堆垛層錯(cuò)尺寸法測量硅外延層厚度的方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于在<111>、<100>和<110>晶向的硅單晶襯底上生長的2μm～120μm硅外延層厚度的測量。