本標(biāo)準(zhǔn)采用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法來(lái)測(cè)量多晶硅棒中的施主、受主雜質(zhì)濃度。測(cè)得的施主、受主雜質(zhì)濃度可以用來(lái)計(jì)算按一定的目標(biāo)電阻率生長(zhǎng)單晶硅棒所需要的摻雜量,也可以用來(lái)推算非摻雜硅棒的電阻率。