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摻鈰硅酸鹽閃爍晶體設(shè)計(jì)指南

標(biāo) 準(zhǔn) 號： SJ/Z 21350-2018
替代情況：
發(fā)布單位： 國家國防科技工業(yè)局
起草單位： 中國電子科技集團(tuán)公司
發(fā)布日期： 2018-01-18
實(shí)施日期： 2018-05-01
點(diǎn) 擊 數(shù)：
更新日期： 2022年09月29日
內(nèi)容摘要

本指導(dǎo)性技術(shù)文件規(guī)定了摻鈰硅酸釔镥(Ce:LYSO)、摻鋪硅酸镥(Ce:LSO)、摻鋪硅酸釔(Ce:YSO)等摻鈰硅酸鹽閃爍晶體原生晶棒和晶體產(chǎn)品（包括晶片、晶塊形式的產(chǎn)品）設(shè)計(jì)流程與依據(jù)、設(shè)計(jì)內(nèi)容、

設(shè)計(jì)驗(yàn)證、設(shè)計(jì)輸出等要求。


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