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太陽(yáng)能電池用硅片微裂紋缺陷的測(cè)試方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào): SJ/T 11632-2016
替代情況:
發(fā)布單位: 中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部
起草單位: 電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究院等
發(fā)布日期: 2016-04-05
實(shí)施日期: 2016-09-01
點(diǎn) 擊 數(shù):
更新日期: 2019年01月19日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽(yáng)能電池用硅片微裂紋缺陷的測(cè)試方法,主要內(nèi)容包括規(guī)范性引用文件、術(shù)語(yǔ)和定義、方法原理、干擾因素、儀器設(shè)備、試樣要求、測(cè)試環(huán)境、測(cè)試程序、精密度和試驗(yàn)報(bào)告等。

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