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半導體器件 10keV低能X射線總劑量輻射試驗方法

標 準 號： SJ/T 11586-2016
替代情況：
發(fā)布單位： 中華人民共和國工業(yè)和信息化部
起草單位： 電子工業(yè)標準化研究院等
發(fā)布日期： 2016-01-15
實施日期： 2016-06-01
點 擊 數(shù)：
更新日期： 2019年01月09日
內容摘要

本標準規(guī)定了使用 X 射線輻射儀（光子平均能量約 10keV，最大光子能量不超過100keV）對半導體器件和電路進行電離輻射效應試驗的方法和程序。適用于半導體器件的總劑量電離輻照評估試驗。

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