本部分是根據(jù)IEC60060-3:2006《高電壓試驗技術(shù) 第3部分:現(xiàn)場試驗的定義和要求》進行制定的。本部分與IEC60060-3:2006的一致性程度為修改采用。
本部分與IEC60060-3:2006的主要差異:
———按GB/T1.1—2009的規(guī)定,對標準的語言表述和格式作了修改;
———適用的電壓范圍,由最高電壓Um 大于1kV 的設(shè)備改為標稱電壓3kV 及以上的系統(tǒng)中的設(shè)備;
———在5.3.2中,根據(jù)中國標準,不推薦使用內(nèi)部校準器,故刪除了“內(nèi)部或”;
———在6.4.3注2中,將“可能要求在額定電壓下的測量電流高達0.5mA”改為“要求在額定電壓下的測量電流盡可能地大,應(yīng)不小于0.1mA”;
———在7.3.1和10.3.1中的注中出現(xiàn)“2±5%”,與上下文不符,改為“2±15%”;
———刪除了8.6.2和9.6.2中的注“對于性能遞降的絕緣或者非自恢復(fù)絕緣的試驗推薦使用此程序”;
———分別將圖1、圖2中a)圖中的“T1/T2=0.8/50μs”改為“T1/T2=0.8/40μs”。
GB/T16927的本部分適用于下列電壓的現(xiàn)場試驗和運行狀態(tài)下的試驗,且與GB/T16927.1有關(guān):
———直流電壓;
———交流電壓;
———非振蕩或振蕩型雷電沖擊電壓;
———非振蕩或振蕩型操作沖擊電壓。
對于特殊試驗,采用下述電壓:
———超低頻電壓;
———衰減型交流電壓。
本部分適用于標稱電壓3kV 及以上的系統(tǒng)中的設(shè)備。由相關(guān)的技術(shù)委員會負責選取電器、設(shè)備和設(shè)施的現(xiàn)場試驗電壓、試驗程序和試驗電壓水平。對與本部分所描述的現(xiàn)場試驗電壓不同的特殊情況,可以由相關(guān)的技術(shù)委員會進行規(guī)定。