GB/T 4937的本部分對已封裝的半導(dǎo)體集成電路和半導(dǎo)體分立器件進(jìn)行60?Co γ射線源電離輻射總劑量試驗(yàn)提供了一種試驗(yàn)程序。本部分提供了評估低劑量率電離輻射對器件作用的加速退火試驗(yàn)方法。這種退火試驗(yàn)對低劑量率輻射或者器件在某些應(yīng)用情況下表現(xiàn)出時變效應(yīng)的應(yīng)用情形是比較重要的。
本部分僅適用于穩(wěn)態(tài)輻照，并不適用于脈沖型輻照。
本部分主要針對軍事或空間相關(guān)的應(yīng)用。
本試驗(yàn)可能會導(dǎo)致輻照器件的電性能產(chǎn)生嚴(yán)重退化，因而被認(rèn)為是破壞性試驗(yàn)。
